中商情报网讯:碳化硅具有高硬度、高热导率、高化学稳定性等特性,可用于磨料、耐火材料、化工、电子、汽车等多个领域,随着新能源、5G、航空航天等新兴产业的发展以及全球能源转型的推进,对碳化硅的市场需求不断增长,在政策支持和资本推动下,碳化硅企
一、项目名称 天祝县年500吨碳化硅精细陶瓷项目二、项目地址 武威市天祝县三、建设内容 该项目主要建设生产加工车间、检测车间、原料车间、成品车间及相关配套设施,并安装生产、检测等设备。设计年生产能力达到500吨,生产方式为反应烧结。四、项目
中商情报网讯:碳化硅器件是采用碳化硅材料制造的一种宽禁带电力电子器件,产品主要包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiC MOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)等。 近年来,随
中商情报网讯:碳化硅(SiC)器件是以碳化硅材料为基础制造的高性能半导体器件,其分类广泛,包括二极管、晶体管以及功率模块等多种类型。碳化硅器件凭借其独特的性能优势,在电力电子、汽车电子、光电子、新能源等多个领域中都扮演着重要角色。未来随着
中商情报网讯:碳化硅器件是采用碳化硅材料制造的一种宽禁带电力电子器件,产品主要包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiC MOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)等。 近年来,中
中商情报网讯:碳化硅属于第三代半导体材料,处于宽禁带半导体产业的前端,是前沿、基础的核心关键材料。近年来,伴随国内新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等行业的快速发展,我国碳化硅产业规模和产业技术得到进一步提升,行
中商情报网讯:碳化硅外延片,是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。中国碳化硅外延片产业自2022年进入快速成长期,中商产业研究院发布的《2024-2030年中国碳化硅外延片行业市场发展现状及
中商情报网讯:碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率。随着技术突破和成本的下降,碳化硅功率器件预计将大规模应用于电动汽车、充电桩、光伏新能源等各个领域。中商产业研究
中商情报网讯:与硅基半导体材料相比,以碳化硅为代表的第三代半导体材料具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射能力等特点,适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。中商产业研究院发布的《2024-2029全球及中国SiC和Ga
中商情报网讯:碳化硅外延设备是一种用于在碳化硅衬底上生长外延层的设备,碳化硅外延设备在制造高质量碳化硅外延片和晶片方面具有广泛的应用。 在下游需求刺激下,近两年中国碳化硅外延片生产商掷出了数倍的扩产计划,我国碳化硅外延设备市场规模持续增长
中商情报网讯:碳化硅衬底具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点,可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限,开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件。中商产业研究院发布的《2024-20
一、项目名称 兰州市永登县碳化硅精深加工项目二、项目地址 兰州市永登县三、建设内容 兰州市永登县具有丰富的石英石资源,储量达到3.1亿吨,碳化硅年产能达22万吨以上。依托永登丰富的碳化硅资源、便捷的交通物流、充足的电力供应,拟在中堡镇重点引
中商情报网讯:碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料,按照电学性能的不同,碳化硅衬底可分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。 市场规模 中商产业研究院发布的《2023-2028年中国碳化硅衬底行业市场前景预测与发展
一、项目名称 贺兰工业园碳化硅陶瓷特种材料建设项目二、项目地址 银川市贺兰县三、建设内容 项目位于贺兰工业园区暖泉片区,规划占地120亩,拟引进碳基特种材料生产研发企业,投资建设年产4000万片碳化硅陶瓷民用特种车辆防弹片生产线,重点建设碳
中商情报网讯:化学气相沉积(CVD)是一种用于生产高纯度固体材料的真空沉积工艺,化学气相沉积法制备的产品具有较高的均匀性和纯度,且该方法具有较强的工艺可控性。 全球市场规模分析 CVD碳化硅零部件被广泛应用于刻蚀设备、MOCVD设备、Si
中商情报网讯:碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率。随着技术突破和成本的下降,碳化硅功率器件预计将大规模应用于电动汽车、充电桩、光伏新能源等各个领域。根据Yole
中商情报网讯:碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料,按照电学性能的不同,碳化硅衬底可分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。根据Yole数据,2022年全球导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底市场规模分别为5.12
中商情报网讯:碳化硅属于第三代半导体材料,处于宽禁带半导体产业的前端,是前沿、基础的核心关键材料。在“碳达峰、碳中和”的大背景下,绿色电力、储能、电动汽车等新能源行业迅猛发展,电气化和能源的高效利用将推动碳化硅半导体行业快速发展。 一、产
中商情报网讯:碳化硅(SiC)是第三代半导体材料,具备极好的耐压性、导热性和耐热性,是制造功率器件、大功率射频器件的突破性材料。随着新能源汽车赛道爆发,碳化硅市场进入蓬勃发展阶段。碳化硅作为目前半导体产业最热门的赛道之一,吸引了众多半导体
中商情报网讯:随着新能源汽车赛道爆发,碳化硅市场进入蓬勃发展阶段。碳化硅作为目前半导体产业最热门的赛道之一,吸引了众多半导体大厂以及初创新锐力量参与其中。中国当下的智能汽车变革浪潮,为碳化硅模块的发展带来了新的机遇和新的挑战。 市场规模
中商情报网讯:随着新能源汽车赛道爆发,碳化硅市场进入蓬勃发展阶段。碳化硅作为目前半导体产业最热门的赛道之一,吸引了众多半导体大厂以及初创新锐力量参与其中。中国当下的智能汽车变革浪潮,为碳化硅模块的发展带来了新的机遇和新的挑战。 一、碳化硅
中商情报网讯:近年来,中国碳化硅行业受到各级政府的高度重视和国家产业政策的重点支持。国家陆续出台了多项政策,鼓励碳化硅行业发展与创新,《关于做好2022年享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作有关要求的通知》《中华人民
中商情报网讯:随着新能源汽车、光伏风能等新型发电以及5G通讯产业的市场的快速发展,碳化硅需求井喷式的爆发。目前整个车规级碳化硅行业发展前景非常好,广州、深圳等很多地方都在发展碳化硅产业。 一、产业链 碳化硅产业上游通过原材料制成衬底材料然
中商情报网讯:碳化硅功率器件早在20年前已推出,受制于成本及下游扩产意愿不足,碳化硅产业化推进缓慢。2018年,特斯拉作为全球第一的造车新势力率先使用全碳化硅方案后,碳化硅器件才开始成为市场发展热点。 一、碳化硅器件产业链 第3代半导体是
中商情报网讯:半导体衬底材料包括硅材料和砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体材料。硅是目前技术最成熟、使用范围最广、市场占比最大的衬底材料,近年来随着材料制备技术与下游应用市场的成熟,以碳化硅为代表的第三代半导体衬底材料市场规模持续扩大。
中商情报网讯:碳化硅是由硅和碳组成的无机化合物,在热、化学、机械方面都非常稳定。碳原子和硅原子不同的结合方式使碳化硅拥有多种晶格结构,如4H,6H.3C等等。4H-SIC因为其较高的载流子迁移率,能够提供较高的电流密度,常被用来做功率器件
中商情报网讯:近年来,碳化硅晶片作为衬底材料的应用逐步成熟并进入产业化阶段,以碳化硅晶片为衬底,通常使用化学气相沉积(CVD)方法,在晶片上淀积一层单晶形成外延片。其中,在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片,可进一步制成功
中商情报网讯:近年来,以碳化硅为代表的第三代半导体材料在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势,进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件
一、项目建设背景 碳化硅因其宽带隙技术脱颖而出,是目前发展最成熟的半导体材料。与传统硅基器件相比,碳化硅的击穿场强是传统硅基器件的10倍,导热系数是传统硅基器件的3倍,非常适合电源、太阳能逆变器、火车和风力涡轮机等高压应用。此外,碳化硅可
(免长途费)